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Emerald Platform™ Stratum 3E 恒温振荡器OCXO 设计用于解决传统石英 OCXO 长期存在的挑战,其中包括易受环境状况影响、需要使用保护组件、以及难以购买和使用。恒温振荡器OCXO 经过精心设计,提供最佳动态性能、无与伦比的易用性、最小尺寸和最短交货周期。

±5ppb 恒温振荡器OCXO

在 5G 之前,OCXO 部署在良好受控的环境中。现在5G应用通常被部署到诸如塔楼、屋顶或灯柱等非受控环境中。在这样的环境中,传统石英OCXO容易受到诸如振动、温度变化和冲击等环境压力因素的干扰,进而降低网络性能、减少正常运行时间,甚至影响ADAS、精准定位等任务关键型服务的体验。因此,设计人员在布局石英OCXO时,必须远离气流和热源等压力因素,甚至使用专门的金属或塑料罩进行热隔离,但这会增加布线和制造生产复杂性,并导致潜在的信号完整性问题。此外,设计人员也尝试使用专门的塑封型 OCXO 盖进行热隔离,但这会增加制造步骤和生产复杂性。

     SiTime Emerald平台MEMS OCXO恒温晶振的问世则消除了这些问题。SiT5711是业界最小的Stratum 3E OCXO恒温晶振,具有±5 ppb的频率稳定性和50 ppt /°C的频率斜率(ΔF/ΔT)。SIT5711利用SiTime独特的DualMEMS™和TurboCompensation™温度传感技术,该OCXO可在存在环境压力因素(如气流,温度扰动,振动,冲击和电磁干扰(EMI))的情况下提供最稳定的时序。SIT5711作新兴5G和IEEE 1588同步应用中传统石英OCXO的直接替代,同时提高整体系统性能和稳健性,SIT5711通过使用可编程模拟架构,这有助于在短短的交货周期内确保 100% 的可用性。

     SIT5711在有气流和热冲击的情况下,相比石英产品性能提升了10倍,且拥有无与伦比的易用性:PCB布局不受限、热隔离无需机械屏蔽、无需外部LDO或铁氧体磁珠、耐潮湿,且能保证半导体级质量与可靠性以及批量间一致性,无活性下降。具体的,Emerald OCXO可以适应+105摄氏度运行温度,抵抗0.1ppb/g振动,并具有50ppt/C卓越的动态稳定性,不但能大幅简化设计,缩短开发时间,还能加速营收,提升系统性能。我们创新的温度补偿算法,结合我们的 MEMS 和模拟组件,确保 5G 设备可以部署在任何环境中的任何地方。
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SIT5711 1MHz - 60MHz ±5ppb~±8ppb LVCMOS/Clipped Sinewave 3.3V -40℃ ~ +85℃ 9.0 x 7.0, 14.0 x 9.0, 20.0 x 13.0, 25.0 x 22.0

±5ppb 恒温振荡器DCOCXO

SiT5721 是业界最小的 Stratum 3E 数控 OCXO,具有 ±5 ppb 频率稳定性和 ±40 ppt/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT)。该设备旨在提供最佳动态性能。利用 SiTime 独特的 DualMEMS™ 和 TurboCompensation™ 温度传感技术,这款 DCOCXO 在存在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰 (EMI) 等环境压力因素的情况下提供最稳定的计时。
SiT5721 的环境稳健性实现了无与伦比的易用性并简化了系统设计:
可以放置在PCB上的任何位置
无需机械盖或屏蔽来实现热隔离
无需外部调节器
高湿度环境无需额外密封
SiT5721 可以在工厂编程为 1 到 60 MHz 之间的任何频率。除了行业领先的性能外,DCOCXO 还采用 9 x 7 毫米封装,是目前市面上最小的 Stratum 3E OCXO。 

Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SIT5721 1MHz - 60MHZ ±5ppb~±8ppb LVCMOS/Clipped Sinewave 3.3V -40℃ ~ +85℃ 9.0 x 7.0, 14.0 x 9.0, 20.0 x 13.0, 25.0 x 22.0
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