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传统石英晶振常常受到环境压力的影响,包括非常高的温度以及高水平的噪音,振动或冲击。为了可靠地运行,参考定时装置必须具有很高的弹性。SiTime抗冲击宽温振荡器由于其设计,更小的质量和超干净的制造工艺,其固有的性能比石英强。此外,振荡器IC中先进的模拟设计技术增加了MEMS抗冲击宽温振荡器的弹性和性能。

-55℃~+125℃抗冲击宽温振荡器

SiTime军品级宽温振荡器工作温度可介于-55°C至125°C;频率稳定度达±20PPM,两倍优于石英晶振;SiTime抗冲击振荡器在总体器件可靠性和抗冲击和抗振动性能方面,更分别提高了20倍和30倍以上。军品级宽温振荡器不仅在系统性能上做到了业界较好,而且有效降低了复杂恶劣工况下的现场故障发生率。

  .支持1-137MHz之间任意频点,精度为小数点后6位
  .0.1ppb/g震动灵敏度
  .可耐受高达50KG的冲击,以及高达70G的振动
  .5亿小时的平均无故障时间(MTBF)

Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8920 1MHz - 110MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -55 ~ +125 2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SIT8921 119MHz ~ 137MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 - 55 ~ +125 2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT2020 1MHz - 110 MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -55 ~ +125 SOT23-5(2.9 x 2.8 )
SiT2021 119MHz - 137 MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -55 ~ +125 SOT23-5(2.9 x 2.8 )

-40℃~+125℃抗冲击宽温振荡器


SiTime军品级宽温振荡器工作温度可介于-40°C至125°C;频率稳定度达±20PPM,两倍优于石英晶振;SiTime抗冲击振荡器在总体器件可靠性和抗冲击和抗振动性能方面,更分别提高了20倍和30倍以上。军品级宽温振荡器不仅在系统性能上做到了业界较好,而且有效降低了复杂恶劣工况下的现场故障发生率。

  .支持1-137MHz之间任意频点,精度为小数点后6位
  .0.1ppb/g震动灵敏度
  .可耐受高达50KG的冲击,以及高达70G的振动
  .5亿小时的平均无故障时间(MTBF)



Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8919 115MHz - 137MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -40 ~ +105
-40 ~ +125
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8918 1MHz - 110 MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -40 ~ 105
-40 ~ 125
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SIT1618 7.3728-48MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -40 ~ +105
-40 ~ +125
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT2018 1MHz - 110 MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -40 ~ +105
-40 ~ +125
SOT23-5(2.9 x 2.8 )
SiT2019 115MHz - 137 MHz ±20
±25
±30
±50
LVCMOS 1.8,2.5,2.8,3.0 3.3,2.25~3.63 -40 ~ +105
-40 ~ +125
SOT23-5(2.9 x 2.8)
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